发和制造。

目前夏国科研团队虽然已经在实验室制成了一个简易的碳纳米管芯片，但是是用化学制备，需要精心培养控制，成品率低得惊人，而且成本非常高，只是证明了碳纳米管作为芯片材料的可行性，离商用阶段还要至少十五年。

事实上整个半导体领域夏国和国外顶尖水准差的还是不止一点半点。

只不过普遍来说，最难以攀登的高峰还是光刻机这个工业皇冠上的明珠，这个领域最让人绝望。

事实上，世界上目前最顶级的euv光刻机也只有荷南的asl这一家公司有，它是汇集了西方所有顶尖技术研发的，复杂程度令人发指，世界上任何一个国家都不能独立研制出光刻机。

然而西方国家可以自由购买不会被卡着，而夏国则被瓦森纳协定限制买不到最新的euv光刻机。

夏芯国际订购的一台都几年了也一直被米国施压卡着迟迟不到货。

当然并不是有了euv就能生产出5n或7n这些芯片，这还是看代工厂的生产线技术，同样的光刻机因特尔还在挤14n的牙膏，三星也是在10n左右，而湾积电已经将7n工艺发展成熟甚至已经向5n进发。

然而光刻机的重要性可见一斑，没有最新的光刻机你就只能在几十纳米制程徘徊，生产一些低端芯片，捡别人吃剩下的骨头。

光刻机的研发需要世界各国顶尖技术的支持，更需要大家的人力物力和资金。

asl公司99年就开始euv的研发工作，由三星因特尔台积电三大客户投资支持，10年才研发出第一台原型机，16年才实现了下游客户供货。

一般所说的光刻机指的是核心设备曝光机，任务就是把掩膜上的图案曝光到基片上。主要是两个子系统光学系统和对准系统。

光刻机需要体积小功率极高的光源和完美的物镜，对准精度需要小于1n，还需要专属的光刻胶和提高分辨率的技术。

很多技术都是集各种西方国家技术大成，比如卡尔蔡司的镜头全部是手工打磨好多年，产量极其有限，瑕疵大小以皮米计，如果反射面积有德意志那么大，则最高的凸起处不能高于1公分。

光刻机中心的镜头，由20多块锅底大的镜片串联组成。镜片得高纯度透光材料+高质量抛光。